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台积电前COO蒋尚义回归中芯国际，中芯国际现任联席CEO梁孟松提出辞职。
12月15日晚间，中芯国际发布公告，现年74岁的前台积电营运长、前中芯国际独立董事、前武汉弘芯CEO蒋尚义，获委任为中芯国际第二类执行董事、董事会副董事长及战略委员会成员。与此同时，媒体报道中芯国际现任联合CEO梁孟松对蒋尚义的回归事先并不知情，并且与另一位联合CEO赵海军不和已久，因此在当天的董事会上投出弃权票，并向董事长周子学提出辞呈。随后，网上也传出了梁孟松在董事会上公布的一份辞职声明，他表示自2017年11月担任中芯国际联席CEO至今已有三年多，几乎从未休假，在其带领的2000多位工程师的尽心竭力的努力下，完成了中芯国际从28nm到7nm工艺的五个世代的技术开发，这是一般公司需要花10年以上时间才能才能完成的任务。最后，梁孟松表示此次蒋尚义出任中芯国际副董事长一职的人事变动，其是在12月9日才被董事长周子学告知，此前对此一无所知。中芯国际于今天盘前公告称，公司已知悉梁孟松的辞任意愿，目前正积极与后者核实其真实意愿，任何该公司最高管理层人事变动，以公告为准。受消息影响，今天中芯国际A股收跌5.5%，港股收跌4.9%，芯片板块领跌全市场。蒋尚义：执着于追求先进封装、小芯片技术。
现年74岁的蒋尚义在半导体领域有45年资深经历，于1974年获得斯坦福大学电子工程学博士学位，随后在美国德州仪器、惠普公司工作。1997年，他回到台湾加入台积电担任研发副总裁，后升任共同首席运营官直至2013年退休；其间领导了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等关键节点的研发。2016年12月，蒋尚义加入中芯国际，担任独立非执行董事直至2019年6月离职。2020年12月15日，蒋尚义正式重新加入中芯国际，担任董事会副董事长、第二类执行董事及战略委员会成员。
近日，蒋尚义在接受采访中透露，自己执着于追求先进封装、小芯片等系统整合的技术，本次回到中芯国际的目的是协助中芯国际成为世界一流公司，以及在中芯国际实现其自身的技术追求。现年68岁的梁孟松在半导体领域有30多年从业经历，在获得加州大学伯克利分校电机学博士学位后，加入美国AMD工作。1992年，他离开美国加入台积电从事研发工作直至2009年离职，离开台积电之前其职位是资深研发处长。2011年加入三星，担任研发部副总经理。在三星任职期间，他带领三星实现45nm、32nm、28nm、14nm FinFET制程技术的突破。之后，由于被台积电起诉泄露商业机密，他于2016年被迫离开三星。2017年10月，梁孟松加入中芯国际，担任联合CEO兼执行董事至今。梁孟松与擅长芯片厂整体管理、运营的蒋尚义有所不同，更擅长制程工艺的技术攻关。加入中芯国际以来，帮助中芯国际完成了从28nm到7nm工艺五个世代的技术开发，并且在5nm、3nm制程上也已经展开了最关键、最艰巨的8项技术攻关，只待EUV光刻机到位即可进入全面开发阶段。
背景：由于美国制裁，以高端EUV光刻机为代表的生产设备受限，由梁孟松领导的中芯国际先进制程领域的追赶将止步于7nm。
目前全球具有或即将具有14nm制程产能的晶圆代工厂只有7家，分别是台积电、英特尔、三星、格芯、联电、中芯国际和华虹半导体。而14nm以下更先进的制程，只有台积电、三星、英特尔、中芯国际这四家。再往下，能够量产7nm芯片的只有台积电和三星两家，能够量产5nm芯片的只有台积电。目前中芯国际在全球晶圆代工市场市占率约为4%，全球排名第五，在中国大陆地区排名第一，是中国大陆目前唯一在14nm以下先进工艺发展规划明确的晶圆代工厂商。2019年，面对EUV光刻机禁运的背景，梁孟松带领中芯国际提出了自己的突破方案——N+1技术，N+1的目标是从14nm制程基础上实现接近7nm性能的芯片制造。经过一年多的研发，中芯国际N+1工艺成果逐渐显现。8月27日晚间，中芯国际披露半年报表示，第二代先进工艺（N+1工艺）进展顺利，已进入客户产品验证阶段。9月18日中芯国际表示，其第一代FinFET 14nm工艺已在2019年第四季度投产，第二代FinFET N+1工艺已进入客户导入阶段，预计将在2020年底实现小批量试产。10月15日，ASML公司首席财务官表示，向中国客户出口DUV光刻机已经无需申请出口许可证。目前主流的高端光刻机，主要有DUV光源和EUV光源两种产品。中芯国际的N＋1工艺就是建立在DUV光刻机的基础之上的，随着ASML的DUV光刻机陆续到货，中芯国际的7nm工艺也将迎来突破。然而若要实现N+2工艺制程，则需要使用EUV光刻机，目前全球只有ASML有能力供货，中芯国际曾于2018年向ASML订购了一台EUV光刻机，但受限于美国阻拦，该订单至今仍未交付，并且ASML也未表示未来会放开EUV光刻机供应。梁孟松在辞呈信中表述：5nm（N+2）和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。由此可见，中芯国际N+2工艺实现突破的瓶颈在于ASML的EUV光刻机，在EUV光刻机供应放开基本无望的背景下，中芯国际的先进制程或将在未来一段时期内止步于7nm。如果最终梁孟松离职，可能意味着中芯国际未来战略发展方向上的大转变，从之前追赶先进制程技术，转向做大成熟制程以及先进封装。一方面，上文已经解读，在美国的制裁下，由梁孟松领导的先进制程的追赶本来就要止步于7nm，再继续往这个方向发展需要耗费大量的人力、物力、财力以及时间，甚至到最后徒劳无功。
另一方面，5G手机、智能汽车、通信基础设施、电脑/平板、电视/大尺寸面板、云计算与IDC、物联网等领域带动芯片需求大幅增长，叠加芯片制造产能紧缺，近期各类芯片价格水涨船高。8英寸代工产能作为成熟制程的核心部分，业界预计产能紧缺现象到2021年下半年有望缓解。
在成熟制程产能持续紧缺的背景下，中芯国际转向加大对90/65/55nm等成熟制程的投入，是比较现实的事。
目前兆易创新/汇顶科技/卓胜微/韦尔股份等半导体厂商大部分需求都集中在成熟制程，面对巨大的产能缺口，未来几年中芯国际将在国产设备/材料厂商的配合下，做好90/65/55nm等成熟制程去美化晶圆厂建设，在补全产能短板后逐步突破先进工艺。
另外，中芯国际除了转向扩大成熟制程之外，还会升级先进封装技术。
在后摩尔时代，随着晶体管通道尺寸逼近物理极限，只追逐线宽缩小，已无法满足新技术所需的标准，先进封装技术因此被视为新的突破口。
全球晶圆代工巨头台积电创始人张忠谋曾表示，透过先进封装技术，可让一颗晶片能够整合更多功能，也更省空间，并且不需要很先进的制程。在中芯国际先进制程发展受阻的背景下，加大先进封装领域投资，可实现对现有工艺制程的性能突破。
本次中芯国际人事变动引入的蒋尚义，最近一次对外表态时曾谈到，决定加入中芯国际的关键是，中芯国际有先进封装的基础，同时先进制程技术已经推进至14nm、N+1、N+2，能够实现其在先进封装和系统整合方面的梦想。
此次事件将对国内芯片产业链造成结构性的影响：成熟制程相关材料设备需求进一步提升，而高端支撑相关材料设备的国产替代需求大幅削弱。
晶圆代工是一个集合全球高端装备的高门槛产业，大部分晶圆厂设备供应来自全球，其成本开支构成中约25%为欧洲的光刻机，约50%为美国的刻蚀机、PVD等，还有约25%为日本的刻蚀、沉积设备。而搭建一个去美化的晶圆厂，其成本结构大约为：25%用于欧洲光刻机 ，50%用于日本的刻蚀机、PVD等设备，其余25%为中国大陆的刻蚀、PVD、清洗、氧化等设备。去美化的晶圆厂最大的增量在于中国大陆的刻蚀、PVD、清洗、氧化等设备。而国内半导体设备厂商经过多年研发，已经在成熟制程方面积累深厚，并且部分设备已进入全球高端领域。若中芯国际加大成熟制程的投资力度，则会进一步提升整个上游供应链（设备、材料、IP/EDA）的需求，但同时由于其先进制程发展受阻，高端设备/材料的出货量或将锐减，其研发动力也将大大削弱。
如果最终蒋尚义回归，而梁孟松选择离职，那么意味着中芯国际在理想与现实中，还是选择了接受现实，从战略进攻转向了战略防御。踏踏实实，一步一个脚印，等待补齐产业链短板，等待设备和材料不再受制于人，再来追逐理想。对中芯国际以及国内芯片产业链来说，战略方向上的转变短期必然会给估值带来影响。中芯国际如果放缓或者中止在先进制程领域的追赶，那么就不能再去对标台积电的市值，而是进一步落实到业绩上来，看行业供需基本面、看景气度、看业绩增速，而不是看国产替代给予市梦率估值。
希望国内芯片产业链能借此机会从之前的狂热追赶，转向更为理性的健康发展。
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