芯片自主可控，需要两大抓手！

美国对我国半导体持续打压，国产替代需求迫切。

2019年以来，美国持续对华为、中芯国际、海康威视、科大讯飞、大疆科技等中国科技企业实施出口管制，竭力遏制中国在半导体、人工智能等领域的崛起。

2021年5月中旬，美国政府牵头苹果、微软、英特尔、ASML、尼康、东京电子、ARM等62家半导体产业链领先公司成立美国半导体联盟，以促进美国提升芯片制造能力，确保美国在此领域的领先地位。

2021年6月2日，媒体报道，日本政府正牵头设立一个国际合作框架，联合美国及德国、英国、荷兰等主要欧洲国家，在国际上管制半导体、人工智能、生物技术等先进技术出口，并指出各国应当对可能利用民间技术加强国防力量的中国有所防范。

截止2020年最新数据，中国芯片进口总额高达3800亿元，占国内商品进口总额的18%，依然是对外依赖度较高的“卡脖子”领域。

在美国对我国半导体持续打压的背景下，加速实现产业链的国产替代，是我国半导体产业升级的必经之路，而在我国现有产业能力的基础上，要加速实现国产替代主要有两个抓手。

第一个抓手：加快建立28nm及以上成熟制程纯国产半导体设备产线，在需求最迫切并且技术能够着的领域实现国产替代。

我们在6月15日《【芯片】搭建28nm自主可控生产线的可行性分析！》一文中已经指出：28nm及以上成熟制程仍是目前芯片领域的主流制程，28nm以上成熟制程占当前芯片市场规模的60%，而当前28nm及以上成熟制程芯片的国产自给率仍不到20%，因此，搭建一条28nm及以上制程的国产半导体设备生产线的意义重大。

第二个抓手：加快发展第三代半导体，在新兴产业领域实现弯道超车。

第三代半导体是后摩尔时代提升集成电路性能的重要途径，应用在5G、新能源车等国家重点发展的新兴产业领域，目前国内外技术水平差距正在缩小，政策推动下有望实现弯道超车。

国家政策密集推动，“十四五”规划指出重点推进碳化硅、氮化镓等第三代半导体发展。

今年两会期间，有委员提出，第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展方向，是我国半导体产业弯道超车的机会，要重点扶持、协同攻关第三代半导体产业，可以在国内重点扶植3-5家世界级龙头企业，加大整个产业链条的合作力度。

3月11日，十三届全国人大四次会议闭幕，大会了批准“十四五”规划和2035年远景目标纲要。“十四五”规划指出，要加强科技前沿领域攻关，在集成电路领域，要重点推进碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

同时上海临港新片区发布集成电路产业专项规划（2021-2025），提出推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。

5月14日，国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议，专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术，而第三代半导体技术就是重要的后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术之一。

以碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN) 为主的第三代半导体材料，具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性，相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上。

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