注意这个方向！

创业板大跌，货币宽松预期下 A股低吸的机会来了！

周一沪深两市双双低开，开盘后快速拉升翻红，并一度继续冲高。但持续性较差，随后便回落，在题材股的走低影响下，股指不断创日内新低。午后三大股指跌幅进一步扩大，连板个股继续晋级，但两市3000只个股收跌，市场情绪严重分化，虽然看上去涨停与妖股不少，但这些短线资金根本撑不起大盘的走势。截至收盘沪指跌1.07%，报收3593.60点。深成指跌2.01%，报收14569.18点。创业板指跌2.96%，报收3332.61点。

聪明的投资者会发现，近期无论是权重还是题材板块多数情况下都进入了短期调整趋势中，尤其权重板块调整态势较明显。

萝卜君认为连续的调整不是坏事，这是空头力量释放。没有只跌不涨的市场，短期风险集中释放后，资金自然会逐步回流到市场中去。这基于一个基本认识，即大盘没有系统风险，近期出逃的资金将是下次反攻的主力。

对于周一的下跌行情，除了受外资的打击外，还有几个因素：一方面，外围市场的大幅波动，尤其是美股波段调整的情绪影响；另一方面，上周以来热门板块的资金获利出逃，这也是市场上周就开始调整的核心原因之一；此外，近期的调整也有年底部分资金离场观望的原因。

不过，对于这里的调整，萝卜君仍然认为是此前连续上行后的良性回踩，整体可视为洗盘。毕竟，央行降准给市场带来货币提振的新预期，而稳增长也迎来政策托底，市场向好的趋势逐步明朗，在此前基本面的支撑下，向好基础有所增强。

而周一LPR也迎来调降，虽然只是调降了一年期，但是货币宽松的预期再次增强，对市场仍有支撑和提振。因此萝卜君依旧看好跨年以及来年一季度的行情，并且认为周二如果继续下跌将是短期抄底的机会，原因是：

一是大盘该兑现的利空都已经兑现，目前美股期指大跌，美股如果继续大跌，周二A股一个顺势低开，可能就会瞬间拉起，随后开启超跌反弹；

二是周末打击假外资，但周一外资没有出现明显流出，说明这部分资金还要在A股操作一段时间，至少可以稳定大家的情绪，激发大家的做多热情；

三是周一大盘虽然大跌，但两市有超过百只个股涨停，说明市场还有炒作热情。

技术面上，周一沪指直接向下跌破18日线，3600点平台也在尾盘失守。15分钟和30分钟图上的KDJ指标线运行到低位，提前发出了对应级别反弹信号，因此接下来可以逐步关注低吸机会，但是在市场没有明显企稳信号之前，不能盘中追涨。

创业板指指数目前看已经确定是在3522形成了两个小双头，目前创业板处于3520高点开始的c-3浪主跌段中，按浪形结构判断这个c-3浪应该在周二盘中完成，随后有一个c-4反抽，全部调整结束要等随后的c-5下跌完毕，创业板注意3300-3250区间寻找低点。

总结：当前跨年行情的大逻辑依旧成立，不必过度担心短期的扰动，跨年行情或将在指数震荡抬升、板块交替轮动中拾级而上。

周六日，很多粉丝看好半导体材料，问了很多问题，今天给大家都讲下。

半导体材料分为元素半导体和化合物半导体，其中元素半导体材料主要有Si、Ge，化合物半导体包括GaAs、SiC。

我们之前在讲分立器件和集成电路领域时，有讲到它们上游应用的半导体材料很多都有Si，这是因为Si的储量很丰富、技术成熟，成本还低，所以成为了最广泛的半导体材料。

但是，与Si相比，SiC的热导率和击穿电场强度更高，SiC器件的极限工作温度在600℃以上，但Si都不能超过300℃。SiC器件能承担高温，散热效果也很好。

所以，相较于Si器件适用性比较广，SiC 器件在高频、高温、高压等场景要比Si器件更有优势。

就昨天大家的提问看，大家对Si的认知仿佛更多，对SiC的认知还很少，我认为制约大家对SiC认知的原因是，它还没有大规模的应用，而导致没有大规模应用的根本原因是它的价格还很高。

就它产业链的角度出发，它可以分为衬底材料制备、外延生长、器件制造和应用。

衬底是所有半导体芯片的底层材料，起物理支撑、导热、导电等作用，也是成本占比最高的。

就从最初也是最贵的衬底看，它的生产速度就慢，生产的质量也得不到保证，与成熟的硅片制造相比，SiC衬底的成本是很高的。

像它的一种产品，SiC MOS的平均价格在1.92元/A，远远高于0.53元/A的Si IGBT。

再看它的规模，在2019年时，全球SiC功率器件市场规模是5.4亿美元，到2020年，我国的SiC、GaN电力电子器件市场规模就达到了46.8亿元，这个年复合增长率是特别大的。

而且，预计到25年，这个市场规模甚至会达到300亿元，年复合增长率是45%。

是什么驱使着这样的年复合增长率？

按照下游的应用领域来分，新能源汽车算是SiC市场规模增长的主要推动力，光伏储能也是。

补能焦虑一直是新能源汽车绕不开的话题之一，各大车企都在通过增加续航里程去缓解用户的心理。

但这究其根本，提升充电效率和缩短单次补能时间才是这一痛点的治本之法，实现快速补能。

它要涉及的环境是在800V的快充电压下，目前，电流的设计也开始从350V向更大的电流设计，前面也说到了SiC耐高温、易散热、低损耗等特性恰好满足了800V高压平台的需求。

此外，SiC器件中，像SiC逆变器，能够提高5%-10%的续航，这样就可以节约400-800美元的电池成本，基本抵消前面说到的SiC器件的新增成本。

而且，因为SiC的散热性，还可以使散热器的体积大大减小，使汽车轻量化，还节约了部分散热器的成本。

拿特斯拉来看，2018年特斯拉在Model 3中首次将Si IGBT换成了SiC模块，SiC模块封装尺寸明显小于Si模块，且开关损耗降低了75%，系统效率提高了5%。

比亚迪汉第也在今年10月也使用了其自主研发的SiC模块，小鹏汽车也在11月开始使用基于800V高压SiC平台。

综合来看，虽然SiC器件成本高于Si器件，但由于对电池和散热器等具有明显降本作用，使用SiC的新能源汽车系统成本，很可能会在不久与使用Si器件趋于一致。

光伏储能方面，就光伏逆变器来说，使用SiC MOS或Si MOS与SiC SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可以从96%提升至99%，设备循环寿命提升50倍，还会缩小系统体积、增加功率密度、延长使用寿命。

 “碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，高效、高功率密度、高可靠、低成本是未来光伏逆变器的未来发展趋势。

SiC器件也预计会逐步替代Si器件，预计到2025年光伏逆变器中SiC器件占比将提升至50%。

虽然说现在的应用还不断大规模，但是受限于SiC衬底产能一直处于较低水平，还是制约了SiC器件产能。

目前全球SiC晶圆年产能为40-60万片。但特斯拉基本消耗了大部分SiC晶圆，SiC晶圆现在是供不应求的状态。

在SiC晶圆片产业格局中，美国企业占比较高。以导电型晶圆片为例，2020年美国SiC晶圆片产量占比达70%以上，其中Wolfspeed占比达到62%，剩余份额主要由日本和欧洲企业占据。

相比之下，我国的SiC晶圆占比并不高。

这背后的原因主要是那些国家在60年代就开始研发制备，而我国是从90年代末才开始，布局时间是较晚的。

现在各国纷纷扩大产能，Wolfspeed SiC年产能为16.7平方英寸，公司预计到2024年产能将扩大到24.2平方英寸。II-VI预计将投资2000万美元进行化合物半导体扩张，其中大部分用于SiC扩产。

我国也在努力扩大产能，弥补供需缺口，国家对此出台了很多政策，去引导和扶持这个产业，这个市场也在政策面的影响下，景气度向上。

去年我国SiC新增产能投资金额达到550亿元，新增产能数量为17个。今年预计将达到735亿元，算是爆发式投入了。

目前也有众多公司布局该细分赛道，三安光电是覆盖了全产业链，在去年6月建设了一个完整的产业链项目，8月子公司还收购了北电新材100%股权，北电新材主营业务为SiC晶体生长、衬底制造，本次收购更是增厚公司的业绩。

天岳先进、晶盛机电、露笑科技、东尼电子是布局了衬底行业，其中天岳先进2018-2020 年SiC衬底产量从1.1万片增加至4.8万片，CAGR为53.6%。

凤凰光学、瀚天天成、东莞天域深耕外延片，其中，凤凰光学拟收购购买国盛电子和普兴电子100%股权，这两家均从事半导体外延材料的研发、生产与销售。

综上所述， SiC 市场目前处于成长期，且仍旧由美日欧企业主导，我国上述的这些企业在快速追赶，在景气度向上的背景下，大家可以多注意下国产企业的研发生产进程。

写在最后，我还发现，陈光明出手近6亿元买入，邓晓峰也重仓持有了这家公司，感兴趣的萝卜粉丝，可以点赞后，查看下方的“阅读原文”。

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