注意！“在扩张”的机遇！

很久没说半导体了，我看了下相关标的，发现了只股，它既涉及半导体，又涉及相关芯片材料，这就是赛微电子。

公司自成立以来，以传感终端应用为起点，通过内生发展及外延并购成功将业务向产业链上游延伸拓展。目前，MEMS 芯片的工艺开发及晶圆制造已成为公司的主要核心业务。

公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展 MEMS 工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局 GaN材料与器件业务。

目前，公司的主要产品及业务包括 MEMS 芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN 外延材料生长与器件设计，下游应用包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。

公司MEMS业务包括晶圆制造与工艺开发两类。

其中，MEMS晶圆制造业务是指在完MEMS 芯片的工艺开发、实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供批量晶圆制造服务。

而MEMS工艺开发业务则根据客户提供的芯片设计方案，以满足产品性能，实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标，利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程。

目前，公司MEMS业务以晶圆制造为主，1H21，公司MEMS晶圆制造营收达到2.55亿元，占MEMS业务总营收的71%。此外，公司MEMS工艺开发营收于1H2达到1.06亿元，占MEMS业务总营收的29%。

公司GaN业务主要可以分为GaN外延材料与GaN芯片设计。

其中，GaN外延材料业务基于自主掌握的工艺诀窍、根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6~8英寸GaN外延材料。

而GaN芯片设计业务则基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。

此外，公司围绕主要业务开展了一系列产业投资布局，直接或通过产业基金对产业链相关企业进行参股型投资。

目前，公司主要子公司包括Silex MicrosystemsAB、SMI （Silex Microsystems Inc.）、SSA（Silex Securities AB）、运通电子有限公司、北京赛莱克斯国际科技有限公司、北京微芯科技有限公司以及赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司等。

同时，公司延续发展战略重大调整，资源聚焦半导体业务的需要，继续剥离剩余部分导航业务，出售耐威时代 100%股权、对中测耐威进行减资。

此外，公司根据发展需求，投资新设业务子公司，继续实施针对企业与基金的相关产业投资，如投资设立聚能国际、对爱集微进行增资、参投设立火眼基金等。

MEM微电机系统，将半导体技术的多功能性与机械结构的功能相结合，以微米或纳米级别的结构，MEMS 组成包含有微传感器、微结构、微电子、微致动器等，包含微电子、物理等技术。

应用在包括 MEMS麦克风、 MEMS 压力传感器、 MEMS 陀螺仪、 MEMS 湿度传感器等。

MEMS可应用在惯性、压力、声学、磁力、温/湿度、气体等不同类型的应用领域，MEMS器件体积小，一般单个MEMS 传感器的尺寸以毫米甚至微米为计量单位，同时，微型化以后的机械部件具有惯性小、谐振频率高、响应时间短等优点。

MEMS器件采用硅基加工工艺，可兼容传统IC生产工艺。由于MEMS具有多种优势，MEMS被用于制造多种器件。根据技术原理，MEMS器件可分为传感MEMS、生物MEMS、光学MEMS 和射频MEMS。

为满足如智能手机、平板电脑及可穿戴设备等消费电子的应用需求，MEMS 正向小尺寸发展。同时，航天航空类的高端应用也推动MEMS 器件向高性能发展。

2000~2020，MEMS 芯核尺寸已由10 mm²缩小至1~2 mm²；功耗由0.1mW降至0.05mW以下；平均单价也从3 美金以上降至0.5美金左右。

公司长期保持在全球MEMS纯晶圆代工第一梯队，2019及2020年排名第一，代表着业内主流技术水平。

自2000年至今，公司参与了400余项MEMS工艺开发项目，代工生产了包括微镜、光开关、片上实验室、微热辐射计、硅麦克风等在内的多种MEMS 产品。

目前，公司拥有覆盖MEMS领域的全面工艺技术储备，关键技术已成熟并经过多年的生产检验，TSV、TGV、SilVia、MetVia、DRIE及晶圆键合等技术模块行业领先。

GaN作为第三代半导体具有宽带隙（3.4 eV）、击穿场强大（3.3 MW / cm）、电子饱和漂移速度高（2.7 * 107 cm / s）等物理结构优势。

在以往的半导体材料中，Si 是目前集成电路及半导体器件的主要材料，但其带隙窄，击穿电压低，在高频高功率器件的应用上效果不佳。

然而，GaA的带隙和击穿电压仍难以满足高频高功率器件的要求。GaN相较前两代半导体材料具有更大的禁带宽度和击穿电压，同时化学稳定性高，能够耐高温，耐腐蚀，因此在光电器件以及高频高功率电子器件应用上具有广阔的前景。

随着5G时代的到来, 5G 基站与数据中心的建设将大幅带动GaN 射频与功率器件市场，GaN 在快充、LiDAR 等方面的应用也将成为新需求增长点。

2020年全球GaN功率器件市场规模为4600万美元，预计将于2026年增长至11亿美元，年复合增长率达到70%。

GaN器件产业链各环节依次为：GaN单晶衬底（或SiC、蓝宝石、Si）到GaN材料外延到器件设计到器件制造。

其中，GaN衬底主要由日本公司主导；GaN 外延片相关企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTT-AT、国内的赛微电子、苏州晶湛等；GaN 器件设计厂商包括EPC、MACOM、Dialog 等。

目前，全球GaN器件产业以IDM 为主，但随着材料技术不断成熟及市场需求增长，垂直分工模式也在逐渐兴起。

公司积极推动GaN 业务发展。在GaN外延材料方面，公司基于自身掌握的业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、芯片设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证，开始签订 GaN 外延晶圆的批量销售合同并陆续交付.

在 GaN 芯片方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率芯片产及应用方案，且已推出数款 GaN 功率芯片产品并进入小批量试产，并与知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行芯片系统级验证和测试，开始签订 GaN 芯片的批量销售合同并陆续交付。

公司控股子公司聚能创芯是公司 GaN 业务的一级发展平台，主要从事功率与微波器件，尤其以 GaN 功率与微波器件的设计开发为主。

目前，聚能创芯在已开发成功 650V GaN HS 功率器件平台的基础上，推出系列 GaN 功率器件产品，以积极推动技术、工艺、产品积累，从而满足下一代功率与微波电子芯片对 GaN 外延材料及 GaN 芯片的需求。

随着聚能创芯 GaN 外延材料制造技术的提升，以及产品线的丰富，公司 GaN 业务有望取得更多突破，并带动公司业绩增长。

写在最后，萝卜要提醒大家，公司在MEMS代工、GaN材料与设计方面面临研发投入大，存在新技术、新产品的研发、认证及产业化不达预期的风险。

还有随着公司经营规模的扩张，对于管理与协调能力提出了更高要求，若管理模式等不能跟上公司内外部环境的变化将给公司未来的经营和发展带来一定的影响。 

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